HFS10N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS10N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS10N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS10N65S даташит

 ..1. Size:159K  semihow
 hfs10n65s.pdf pdf_icon

HFS10N65S

March 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFS10N65S ID = 9.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 6.1. Size:302K  semihow
 hfs10n65u.pdf pdf_icon

HFS10N65S

Oct 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 0.8 HFS10N65U ID = 9.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 6.2. Size:634K  semihow
 hfs10n65js.pdf pdf_icon

HFS10N65S

Feb 2023 HFS10N65JS 650V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 10 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 0.82 100% Avalanche Tested Qg, Typ 36.3 nC RoHS Compliant TO-220FS Symbol S D G Absolute Maximum

 7.1. Size:302K  semihow
 hfs10n60u.pdf pdf_icon

HFS10N65S

Oct 2013 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.67 HFS10N60U ID = 9.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFP8N60S, HFP8N60U, HFP8N65S, HFP8N65U, HFP8N70U, HFP9N50, HFS10N60S, HFS10N60U, 12N60, HFS10N65U, HFS10N80, HFS11N40, HFS12N60S, HFS12N60U, HFS12N65S, HFS12N65U, HFS13N50S