Справочник MOSFET. HFS10N80

 

HFS10N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS10N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HFS10N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS10N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  semihow
 hfs10n80.pdf pdf_icon

HFS10N80

Dec 2010BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 0.92 HFS10N80ID = 9.4 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ ) E

 0.1. Size:669K  semihow
 hfs10n80a.pdf pdf_icon

HFS10N80

June 2021BVDSS = 800 VRDS(on) Typ = 0.92 HFS10N80AID = 9.4 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Ope

 8.1. Size:159K  semihow
 hfs10n65s.pdf pdf_icon

HFS10N80

March 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFS10N65SID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 8.2. Size:302K  semihow
 hfs10n65u.pdf pdf_icon

HFS10N80

Oct 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.8 HFS10N65UID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HFP8N65S , HFP8N65U , HFP8N70U , HFP9N50 , HFS10N60S , HFS10N60U , HFS10N65S , HFS10N65U , IRF530 , HFS11N40 , HFS12N60S , HFS12N60U , HFS12N65S , HFS12N65U , HFS13N50S , HFS13N50U , HFS13N60U .

History: NTTFS4941NTAG | IRFH7914 | SFF80N20NUB | 4N80G-TF3-T | STD30NE06LT4 | KP979VC | PTF27N80

 

 
Back to Top

 


 
.