HFS10N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS10N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS10N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS10N80 даташит

 ..1. Size:210K  semihow
 hfs10n80.pdf pdf_icon

HFS10N80

Dec 2010 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 0.92 HFS10N80 ID = 9.4 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ ) E

 0.1. Size:669K  semihow
 hfs10n80a.pdf pdf_icon

HFS10N80

June 2021 BVDSS = 800 V RDS(on) Typ = 0.92 HFS10N80A ID = 9.4 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Ope

 8.1. Size:159K  semihow
 hfs10n65s.pdf pdf_icon

HFS10N80

March 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFS10N65S ID = 9.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 8.2. Size:302K  semihow
 hfs10n65u.pdf pdf_icon

HFS10N80

Oct 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 0.8 HFS10N65U ID = 9.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFP8N65S, HFP8N65U, HFP8N70U, HFP9N50, HFS10N60S, HFS10N60U, HFS10N65S, HFS10N65U, IRF1010E, HFS11N40, HFS12N60S, HFS12N60U, HFS12N65S, HFS12N65U, HFS13N50S, HFS13N50U, HFS13N60U