Справочник MOSFET. HFS50N06

 

HFS50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HFS50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  semihow
 hfs50n06.pdf pdf_icon

HFS50N06

July 2005BVDSS = 60 VRDS(on) = 18 mHFS50N06ID = 50 A60V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) :

 0.1. Size:368K  semihow
 hfp50n06a hfs50n06a.pdf pdf_icon

HFS50N06

Oct 2016HFP50N06A / HFS50N06A60V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 50 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 18 100% Avalanche TestedQg, Typ 27 nC RoHS CompliantHFP50N06A HFS50N06ASymbolTO-220 TO-220FSS

Другие MOSFET... HFS2N65S , HFS2N65U , HFS2N70S , HFS2N90 , HFS3N80 , HFS4N50 , HFS4N60 , HFS4N90 , 2N60 , HFS5N50S , HFS5N50U , HFS5N60S , HFS5N60U , HFS5N65S , HFS5N65U , HFS5N70S , HFS5N80 .

History: VBM17R10 | NCE60H15AD | IXTQ26N50P | CS7N70F | STN442D | IPU95R450P7

 

 
Back to Top

 


 
.