HFS50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS50N06 даташит

 ..1. Size:227K  semihow
 hfs50n06.pdf pdf_icon

HFS50N06

July 2005 BVDSS = 60 V RDS(on) = 18 m HFS50N06 ID = 50 A 60V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

 0.1. Size:368K  semihow
 hfp50n06a hfs50n06a.pdf pdf_icon

HFS50N06

Oct 2016 HFP50N06A / HFS50N06A 60V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 50 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 18 100% Avalanche Tested Qg, Typ 27 nC RoHS Compliant HFP50N06A HFS50N06A Symbol TO-220 TO-220F S S

Другие IGBT... HFS2N65S, HFS2N65U, HFS2N70S, HFS2N90, HFS3N80, HFS4N50, HFS4N60, HFS4N90, 20N50, HFS5N50S, HFS5N50U, HFS5N60S, HFS5N60U, HFS5N65S, HFS5N65U, HFS5N70S, HFS5N80