Справочник MOSFET. HFS640

 

HFS640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HFS640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  semihow
 hfs640.pdf pdf_icon

HFS640

Nov 2005BVDSS = 200 VRDS(on) typ HFS640ID = 18* A200V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 37 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

Другие MOSFET... HFS5N50U , HFS5N60S , HFS5N60U , HFS5N65S , HFS5N65U , HFS5N70S , HFS5N80 , HFS630 , IRF730 , HFS6N60U , HFS6N65U , HFS6N70U , HFS6N90 , HFS730 , HFS730U , HFS740 , HFS7N80 .

History: PMZ370UNE | GT045N10T | AK4N60S | DH012N03 | DCC016M120G2 | HY1303C | SHD226408

 

 
Back to Top

 


 
.