HFS640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS640 даташит

 ..1. Size:182K  semihow
 hfs640.pdf pdf_icon

HFS640

Nov 2005 BVDSS = 200 V RDS(on) typ HFS640 ID = 18* A 200V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge 37 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

Другие IGBT... HFS5N50U, HFS5N60S, HFS5N60U, HFS5N65S, HFS5N65U, HFS5N70S, HFS5N80, HFS630, IRFB31N20D, HFS6N60U, HFS6N65U, HFS6N70U, HFS6N90, HFS730, HFS730U, HFS740, HFS7N80