HFS730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HFS730
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
trⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
HFS730 Datasheet (PDF)
hfs730.pdf

Dec 2005BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFS730ID = 5.5 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON
hfp730f hfs730f.pdf

Dec 2016HFP730F / HFS730F400V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 400 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 6A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 0.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 13 nC RoHS CompliantHFP730F HFS730FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless oth
hfs730s.pdf

May 2015BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730S ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo
hfs730u.pdf

Oct 2013BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730U ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AP9452GG-HF | SIR426DP | SFB034N80C3 | AP60T03AS | HGD040N06S | BSS816NW | ME4410
History: AP9452GG-HF | SIR426DP | SFB034N80C3 | AP60T03AS | HGD040N06S | BSS816NW | ME4410



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet