Справочник MOSFET. HFS730

 

HFS730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HFS730

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  semihow
hfs730.pdfpdf_icon

HFS730

Dec 2005BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFS730ID = 5.5 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

 0.1. Size:404K  semihow
hfp730f hfs730f.pdfpdf_icon

HFS730

Dec 2016HFP730F / HFS730F400V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 400 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 6A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 0.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 13 nC RoHS CompliantHFP730F HFS730FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless oth

 0.2. Size:281K  semihow
hfs730s.pdfpdf_icon

HFS730

May 2015BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730S ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 0.3. Size:194K  semihow
hfs730u.pdfpdf_icon

HFS730

Oct 2013BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730U ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

Другие MOSFET... HFS5N70S , HFS5N80 , HFS630 , HFS640 , HFS6N60U , HFS6N65U , HFS6N70U , HFS6N90 , STP65NF06 , HFS730U , HFS740 , HFS7N80 , HFS830 , HFS840 , HFS8N60S , HFS8N60U , HFS8N65S .

History: AUIRF3007 | STP9NM60N | 2SK4213

 

 
Back to Top

 


 
.