HFS830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS830 даташит

 ..1. Size:181K  semihow
 hfs830.pdf pdf_icon

HFS830

Dec 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS830 ID = 4.5 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

 0.1. Size:637K  semihow
 hfp830f hfs830f.pdf pdf_icon

HFS830

May 2016 HFP830F / HFS830F 500V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 500 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 5 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 1.2 100% Avalanche Tested Qg, Typ 12 nC RoHS Compliant HFP830F HFS830F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Ma

Другие IGBT... HFS6N60U, HFS6N65U, HFS6N70U, HFS6N90, HFS730, HFS730U, HFS740, HFS7N80, IRFB7545, HFS840, HFS8N60S, HFS8N60U, HFS8N65S, HFS8N65U, HFS8N70S, HFS8N70U, HFS8N80