Справочник MOSFET. HFS8N65U

 

HFS8N65U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HFS8N65U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 100 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для HFS8N65U

 

 

HFS8N65U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  semihow
hfs8n65u.pdf

HFS8N65U
HFS8N65U

March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFS8N65U ID = 7.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 7.1. Size:249K  semihow
hfs8n65s.pdf

HFS8N65U
HFS8N65U

Sep 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 1.16 HFS8N65SID = 7.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ ) E

 7.2. Size:736K  semihow
hfs8n65sa.pdf

HFS8N65U
HFS8N65U

August 2022BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 1.16 HFS8N65SAID = 7.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 21 nC (Typ.) Extended Safe O

 7.3. Size:596K  semihow
hfs8n65js.pdf

HFS8N65U
HFS8N65U

Mar. 2023HFS8N65JS650V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 7.2 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 1.04 100% Avalanche TestedQg, Typ 25.3 nC RoHS CompliantTO-220FS SymbolSDGAbsolute Maximum

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top