Справочник MOSFET. HFW10N60S

 

HFW10N60S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFW10N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для HFW10N60S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW10N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  semihow
 hfw10n60s.pdf pdf_icon

HFW10N60S

May 2010BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFW10N60SID = 9.5 A600V N-Channel MOSFETD2-PAKFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Другие MOSFET... HFS8N65S , HFS8N65U , HFS8N70S , HFS8N70U , HFS8N80 , HFS9N50 , HFT1N60S , HFU630 , IRFZ44N , HFW11N40 , HFW12N60S , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 .

History: BSN304 | SD214DE | FTD02N70 | KU2303Q

 

 
Back to Top

 


 
.