Справочник MOSFET. HFW11N40

 

HFW11N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFW11N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для HFW11N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW11N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  semihow
 hfw11n40.pdf pdf_icon

HFW11N40

Dec 2005BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFW11N40ID = 11.4 A400V N-Channel MOSFETD2-PAKFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Другие MOSFET... HFS8N65U , HFS8N70S , HFS8N70U , HFS8N80 , HFS9N50 , HFT1N60S , HFU630 , HFW10N60S , IRF3205 , HFW12N60S , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 .

History: IRFS7730 | MTE050N15BRV8 | TPC6106

 

 
Back to Top

 


 
.