IXTP1N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTP1N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXTP1N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP1N100 даташит

 ..1. Size:535K  ixys
 ixta1n100 ixtp1n100.pdf pdf_icon

IXTP1N100

VDSS = 1000 V IXTA 1N100 High Voltage MOSFET IXTP 1N100 ID25 = 1.5 A RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 30 V D (TAB) G VGSM Transient 40 V D S ID25 TC = 25 C 1.5 A IDM TC =

 0.1. Size:95K  ixys
 ixta1n100p ixtp1n100p.pdf pdf_icon

IXTP1N100

Advance Technical Information IXTA 1N100P VDSS = 1000 V PolarHVTM IXTP 1N100P ID25 = 1.2 A Power MOSFET RDS(on) = 13 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V S (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C

 8.1. Size:60K  ixys
 ixta1n80 ixtp1n80 ixty1n80.pdf pdf_icon

IXTP1N100

IXTA 1N80 VDSS = 800 V High Voltage MOSFET IXTP 1N80 ID25 = 750 mA IXTY 1N80 N-Channel Enhancement Mode RDS(on) = 11 Avalanche Energy Rated Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V D (TAB) VGS Continuous 20 V G D S VGSM Transient 30 V ID25 T

 8.2. Size:161K  ixys
 ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdf pdf_icon

IXTP1N100

Preliminary Technical Information VDSS = 800V IXTA1N80P PolarTM Power ID25 = 1A IXTP1N80P MOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80P IXTY1N80P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU) G G (TAB) (TAB) (TAB) S G D D S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXTY) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTM6N90, IXTM6N90A, IXTM75N10, IXTN21N100, IXTP15N25MA, IXTP15N25MB, IXTP15N30MA, IXTP15N30MB, IRFZ46N, IXTP22N15MA, IXTP22N15MB, IXTP22N20MA, IXTP22N20MB, IXTP2N80, IXTP30N08MA, IXTP30N08MB, IXTP30N10MA