Справочник MOSFET. IXTP1N100

 

IXTP1N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP1N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP1N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  ixys
ixta1n100 ixtp1n100.pdfpdf_icon

IXTP1N100

VDSS = 1000 VIXTA 1N100High Voltage MOSFETIXTP 1N100 ID25 = 1.5 A RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 30 VD (TAB)GVGSM Transient 40 VDSID25 TC = 25C 1.5 AIDM TC =

 0.1. Size:95K  ixys
ixta1n100p ixtp1n100p.pdfpdf_icon

IXTP1N100

Advance Technical InformationIXTA 1N100P VDSS = 1000 VPolarHVTMIXTP 1N100P ID25 = 1.2 APower MOSFETRDS(on) = 13 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VS(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C

 8.1. Size:60K  ixys
ixta1n80 ixtp1n80 ixty1n80.pdfpdf_icon

IXTP1N100

IXTA 1N80VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFETIXTP 1N80ID25 = 750 mAIXTY 1N80N-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 11 Avalanche Energy RatedPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VD (TAB)VGS Continuous 20 VGDSVGSM Transient 30 VID25 T

 8.2. Size:161K  ixys
ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdfpdf_icon

IXTP1N100

Preliminary Technical InformationVDSS = 800VIXTA1N80PPolarTM PowerID25 = 1AIXTP1N80PMOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80PIXTY1N80PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU)GG(TAB)(TAB)(TAB)S G DDSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVD

Другие MOSFET... IXTM6N90 , IXTM6N90A , IXTM75N10 , IXTN21N100 , IXTP15N25MA , IXTP15N25MB , IXTP15N30MA , IXTP15N30MB , 2SK3918 , IXTP22N15MA , IXTP22N15MB , IXTP22N20MA , IXTP22N20MB , IXTP2N80 , IXTP30N08MA , IXTP30N08MB , IXTP30N10MA .

History: IXTH20M60MB | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | BLP12N10G-Q | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.