HUF75829D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUF75829D3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для HUF75829D3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75829D3 даташит

 ..1. Size:191K  fairchild semi
 huf75829d3st huf75829d3 huf75829d3s hufa75829d3s hufa75829d3st.pdf pdf_icon

HUF75829D3

HUFA75829D3, HUFA75829D3S Data Sheet December 2001 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features DRAIN Ultra Low On-Resistance SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.110 , VGS = 10V GATE GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN (FLANGE) - Spice

 8.1. Size:193K  fairchild semi
 huf75852g3.pdf pdf_icon

HUF75829D3

HUF75852G3 Data Sheet December 2001 75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-247 Features SOURCE Ultra Low On-Resistance DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.016 , VGS = 10V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com DRAIN (TAB) Pe

 8.2. Size:197K  fairchild semi
 huf75842p3.pdf pdf_icon

HUF75829D3

HUF75842P3, HUF75842S3S Data Sheet December 2001 43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN Ultra Low On-Resistance DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.042 , VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN - Spice and SABER Therm

 8.3. Size:259K  fairchild semi
 huf75852g3 f085.pdf pdf_icon

HUF75829D3

HUFA75852G3_F085 Data Sheet December 2011 75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-247 Features SOURCE Ultra Low On-Resistance DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.016 , VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS Compliant DRAIN (TAB) Ordering Information Symbol PART NUMBER PACKAGE BRA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUF75617D3ST, HUF75623S3ST, HUF75631S3ST, HUF75631SK8T, HUF75637S3, HUF75637S3ST, HUF75639S3ST, HUF75645S3ST, SPP20N60C3, HUF75829D3S, HUF75829D3ST, HUF75831SK8T, HUF75842S3S, HUF75842S3ST, HUF75925D3ST, HUF75939P3, HUF76009D3ST