HUF75842S3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HUF75842S3ST
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
Аналог (замена) для HUF75842S3ST
HUF75842S3ST Datasheet (PDF)
huf75842s3s huf75842s3st.pdf

HUF75842P3, HUF75842S3SData Sheet December 200143A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAIN Ultra Low On-ResistanceDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.042, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Therm
huf75842p3.pdf

HUF75842P3, HUF75842S3SData Sheet December 200143A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAIN Ultra Low On-ResistanceDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.042, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Therm
huf75852g3.pdf

HUF75852G3Data Sheet December 200175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comDRAIN(TAB) Pe
huf75852g3 f085.pdf

HUFA75852G3_F085Data Sheet December 201175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS CompliantDRAIN(TAB)Ordering InformationSymbolPART NUMBER PACKAGE BRA
Другие MOSFET... HUF75637S3ST , HUF75639S3ST , HUF75645S3ST , HUF75829D3 , HUF75829D3S , HUF75829D3ST , HUF75831SK8T , HUF75842S3S , 4N60 , HUF75925D3ST , HUF75939P3 , HUF76009D3ST , HUF76013D3S , HUF76013D3ST , HUF76013P3 , HUF76145S3 , HUF76407D3ST .
History: PSMN5R8-40YS | VBTA4250N | GC11N65K
History: PSMN5R8-40YS | VBTA4250N | GC11N65K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet