Справочник MOSFET. HUFA75307D3S

 

HUFA75307D3S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HUFA75307D3S

Маркировка: 75307D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 16 nC

Время нарастания (tr): 40 ns

Выходная емкость (Cd): 100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для HUFA75307D3S

 

 

HUFA75307D3S Datasheet (PDF)

1.1. hufa75307d3st hufa75307p3 hufa75307d3 hufa75307d3s.pdf Size:215K _update_mosfet

HUFA75307D3S
HUFA75307D3S

HUFA75307P3, HUFA75307D3, HUFA75307D3S Data Sheet December 2001 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs • 15A, 55V These N-Channel power MOSFETs • Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ innovative UltraFET® process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

1.2. hufa75307t3st.pdf Size:174K _fairchild_semi

HUFA75307D3S
HUFA75307D3S

HUFA75307T3ST Data Sheet December 2001 2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFET 2.6A, 55V This N-Channel power MOSFET is Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.090? manufactured using the innovative Diode Exhibits Both High Speed and Soft Recovery UltraFET process. This advanced process technology achieves the Temperature Compensating PSPICE Model lowe

 2.1. hufa75309t3st.pdf Size:171K _update_mosfet

HUFA75307D3S
HUFA75307D3S

HUFA75309T3ST Data Sheet December 2001 3A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFET • 3A, 55V This N-Channel power MOSFET is • Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.070Ω manufactured using the innovative • Diode Exhibits Both High Speed and Soft Recovery UltraFET® process. This advanced process technology achieves the • Temperature Compensating PSPICE®

2.2. hufa75309d3 hufa75309d3s hufa75309p3.pdf Size:215K _update_mosfet

HUFA75307D3S
HUFA75307D3S

HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S Data Sheet December 2001 19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs • 19A, 55V These N-Channel power MOSFETs • Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ innovative UltraFET® process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

Другие MOSFET... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .

 

 

Back to Top

 


HUFA75307D3S
  HUFA75307D3S
  HUFA75307D3S
  HUFA75307D3S
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: PH3830L | PH3430AL | PH3330L | PH3230S | PH3030AL | PH2625L | PH2530AL | PH2525L | PH20100S | PH1955L | PH1930AL | PH1875L | PH1825AL | PH1730AL | PH16030L |
 

 

 

 
Back to Top