Справочник MOSFET. HUFA75309D3S

 

HUFA75309D3S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HUFA75309D3S

Маркировка: 75309D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 19 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 20 nC

Время нарастания (tr): 39 ns

Выходная емкость (Cd): 150 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для HUFA75309D3S

 

 

HUFA75309D3S Datasheet (PDF)

1.1. hufa75309t3st.pdf Size:171K _update_mosfet

HUFA75309D3S
HUFA75309D3S

HUFA75309T3ST Data Sheet December 2001 3A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFET • 3A, 55V This N-Channel power MOSFET is • Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.070Ω manufactured using the innovative • Diode Exhibits Both High Speed and Soft Recovery UltraFET® process. This advanced process technology achieves the • Temperature Compensating PSPICE®

1.2. hufa75309d3 hufa75309d3s hufa75309p3.pdf Size:215K _update_mosfet

HUFA75309D3S
HUFA75309D3S

HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S Data Sheet December 2001 19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs • 19A, 55V These N-Channel power MOSFETs • Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ innovative UltraFET® process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 2.1. hufa75307d3st hufa75307p3 hufa75307d3 hufa75307d3s.pdf Size:215K _update_mosfet

HUFA75309D3S
HUFA75309D3S

HUFA75307P3, HUFA75307D3, HUFA75307D3S Data Sheet December 2001 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs • 15A, 55V These N-Channel power MOSFETs • Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ innovative UltraFET® process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

2.2. hufa75307t3st.pdf Size:174K _fairchild_semi

HUFA75309D3S
HUFA75309D3S

HUFA75307T3ST Data Sheet December 2001 2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFET 2.6A, 55V This N-Channel power MOSFET is Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.090? manufactured using the innovative Diode Exhibits Both High Speed and Soft Recovery UltraFET process. This advanced process technology achieves the Temperature Compensating PSPICE Model lowe

Другие MOSFET... PHB222NQ04LT , PHB225NQ04T , PHB23NQ10LT , PHB38N02LT , PHB4ND40E , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , IRF630 , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T , PHD16N03LT , PHD16N03T , PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T .

 

 

Back to Top

 


HUFA75309D3S
  HUFA75309D3S
  HUFA75309D3S
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: CS5210PBF | CS5210 | CS520 | CS5103 | CS50N80 | CS50N06D | CS50N06 | CS4N70FA9D | CS4N70ARHD | CS4N65F | CS4N65A8HD | CS4N65A4TDY | CS4N65A4HDY | CS4N65A3TDY | CS4N65A3HDY |
 

 

 

 

Back to Top