Справочник MOSFET. HUFA75337S3ST

 

HUFA75337S3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA75337S3ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75337S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  fairchild semi
 hufa75337g3 hufa75337p3 hufa75337s3s hufa75337s3st.pdf pdf_icon

HUFA75337S3ST

HUFA75337G3, HUFA75337P3, HUFA75337S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 6.1. Size:233K  fairchild semi
 hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdf pdf_icon

HUFA75337S3ST

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3SData Sheet December 200166A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 66A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 6.2. Size:268K  fairchild semi
 hufa75332g3 hufa75332s3s.pdf pdf_icon

HUFA75337S3ST

HUFA75332G3, HUFA75332P3, HUFA75332S3SData Sheet June 200260A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 60A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models a

 6.3. Size:226K  fairchild semi
 hufa75339g3 hufa75339s3s hufa75339s3st.pdf pdf_icon

HUFA75337S3ST

HUFA75339G3, HUFA75339P3, HUFA75339S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRF421 | IRF636A | 75N75G-TA3-T | CHM4282JGP | FDD5680 | HAT2202C | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.