HUFA76407D3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUFA76407D3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUFA76407D3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76407D3 даташит

 ..1. Size:150K  fairchild semi
hufa76407d3st hufa76407d3 hufa76407d3s.pdfpdf_icon

HUFA76407D3

HUFA76407D3, HUFA76407D3S Data Sheet December 2001 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features DRAIN DRAIN SOURCE Ultra Low On-Resistance (FLANGE) (FLANGE) DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.092 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.107 , VGS = 5V GATE SOURCE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE a

 4.1. Size:543K  fairchild semi
hufa76407dk8t f085.pdfpdf_icon

HUFA76407D3

HUFA76407DK8T_F085 Data Sheet October 2010 3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features Packaging JEDEC MS-012AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.090 , VGS = 10V BRANDING DASH - rDS(ON) = 0.105 , VGS = 5V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER 5 Electrical Models - SPICE and SABER Thermal Impedance

 4.2. Size:263K  fairchild semi
hufa76407dk8t.pdfpdf_icon

HUFA76407D3

HUFA76407DK8 Data Sheet December 2001 3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC MS-012AA Ultra Low On-Resistance BRANDING DASH - rDS(ON) = 0.090 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.105 , VGS = 5V Simulation Models 5 - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models 1 2 - SPICE and SABER Thermal Impedan

 5.1. Size:208K  fairchild semi
hufa76407p3.pdfpdf_icon

HUFA76407D3

HUFA76407P3 Data Sheet December 2001 12A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.092 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.107 , VGS = 5V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance M

Другие IGBT... HUFA75823D3S, HUFA75823D3ST, HUFA75829D3S, HUFA75829D3ST, HUFA75842P3, HUFA75842S3S, HUFA75842S3ST, HUFA75852G3, IRFP250N, HUFA76407D3S, HUFA76407D3ST, HUFA76407P3, HUFA76409D3, HUFA76409P3, HUFA76413D3, HUFA76413D3S, HUFA76413P3