HUFA76407D3 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HUFA76407D3 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
Тип корпуса: TO-251AA
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HUFA76407D3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HUFA76407D3 даташит
hufa76407d3st hufa76407d3 hufa76407d3s.pdf
HUFA76407D3, HUFA76407D3S Data Sheet December 2001 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features DRAIN DRAIN SOURCE Ultra Low On-Resistance (FLANGE) (FLANGE) DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.092 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.107 , VGS = 5V GATE SOURCE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE a
hufa76407dk8t f085.pdf
HUFA76407DK8T_F085 Data Sheet October 2010 3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features Packaging JEDEC MS-012AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.090 , VGS = 10V BRANDING DASH - rDS(ON) = 0.105 , VGS = 5V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER 5 Electrical Models - SPICE and SABER Thermal Impedance
hufa76407dk8t.pdf
HUFA76407DK8 Data Sheet December 2001 3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC MS-012AA Ultra Low On-Resistance BRANDING DASH - rDS(ON) = 0.090 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.105 , VGS = 5V Simulation Models 5 - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models 1 2 - SPICE and SABER Thermal Impedan
hufa76407p3.pdf
HUFA76407P3 Data Sheet December 2001 12A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.092 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.107 , VGS = 5V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance M
Другие IGBT... HUFA75823D3S, HUFA75823D3ST, HUFA75829D3S, HUFA75829D3ST, HUFA75842P3, HUFA75842S3S, HUFA75842S3ST, HUFA75852G3, IRFP250N, HUFA76407D3S, HUFA76407D3ST, HUFA76407P3, HUFA76409D3, HUFA76409P3, HUFA76413D3, HUFA76413D3S, HUFA76413P3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement




