HUFA76409P3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUFA76409P3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUFA76409P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76409P3 даташит

 ..1. Size:206K  fairchild semi
 hufa76409p3.pdf pdf_icon

HUFA76409P3

HUFA76409P3 Data Sheet December 2001 17A, 60V, 0.070 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.062 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.070 , VGS = 5V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance

 5.1. Size:839K  fairchild semi
 hufa76409d3st.pdf pdf_icon

HUFA76409P3

HUFA76409D3, HUFA76409D3ST Data Sheet December 2001 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063 , VGS = 10V DRAIN DRAIN SOURCE (FLANGE) (FLANGE) - rDS(ON) = 0.071 , VGS = 5V DRAIN GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER

 5.2. Size:202K  fairchild semi
 hufa76409d3.pdf pdf_icon

HUFA76409P3

HUFA76409D3, HUFA76409D3ST Data Sheet December 2001 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063 , VGS = 10V DRAIN DRAIN SOURCE (FLANGE) (FLANGE) - rDS(ON) = 0.071 , VGS = 5V DRAIN GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER

 6.1. Size:150K  fairchild semi
 hufa76407d3st hufa76407d3 hufa76407d3s.pdf pdf_icon

HUFA76409P3

HUFA76407D3, HUFA76407D3S Data Sheet December 2001 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features DRAIN DRAIN SOURCE Ultra Low On-Resistance (FLANGE) (FLANGE) DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.092 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.107 , VGS = 5V GATE SOURCE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA75842S3S, HUFA75842S3ST, HUFA75852G3, HUFA76407D3, HUFA76407D3S, HUFA76407D3ST, HUFA76407P3, HUFA76409D3, STP75NF75, HUFA76413D3, HUFA76413D3S, HUFA76413P3, HUFA76419D3, HUFA76419P3, HUFA76419S3S, HUFA76419S3ST, HUFA76423D3S