HUFA76413D3S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HUFA76413D3S
Маркировка: 76413D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
trⓘ - Время нарастания: 172 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
Тип корпуса: TO-252AA
HUFA76413D3S Datasheet (PDF)
hufa76413d3 hufa76413d3s.pdf

HUFA76413D3, HUFA76413D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN DRAINSOURCE- rDS(ON) = 0.049, VGS = 10V (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE- rDS(ON) = 0.056, VGS = 5VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE a
hufa76413dk8t f085.pdf

October 2010HUFA76413DK8T_F085N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET60V, 4.8A, 56mGeneral DescriptionThese N-Channel power MOSFETs are manufactured us-Applicationsing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Controlcess technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr
hufa76413p3.pdf

HUFA76413P3Data Sheet December 200122A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220ABFeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.049, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.056, VGS = 5V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice and SABER Thermal
hufa76419d3s.pdf

HUFA76419D3, HUFA76419D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = 10VDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.043, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: PSMN085-150K | PHP11N50E | APM4904K | 2SK2753-01 | IRF6712S | AONX36320 | IPD70P04P4L-08
History: PSMN085-150K | PHP11N50E | APM4904K | 2SK2753-01 | IRF6712S | AONX36320 | IPD70P04P4L-08



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414