HUFA76413D3S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HUFA76413D3S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 172 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
Тип корпуса: TO-252AA
Аналог (замена) для HUFA76413D3S
HUFA76413D3S Datasheet (PDF)
hufa76413d3 hufa76413d3s.pdf

HUFA76413D3, HUFA76413D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN DRAINSOURCE- rDS(ON) = 0.049, VGS = 10V (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE- rDS(ON) = 0.056, VGS = 5VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE a
hufa76413dk8t f085.pdf

October 2010HUFA76413DK8T_F085N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET60V, 4.8A, 56mGeneral DescriptionThese N-Channel power MOSFETs are manufactured us-Applicationsing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Controlcess technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr
hufa76413p3.pdf

HUFA76413P3Data Sheet December 200122A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220ABFeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.049, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.056, VGS = 5V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice and SABER Thermal
hufa76419d3s.pdf

HUFA76419D3, HUFA76419D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = 10VDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.043, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER
Другие MOSFET... HUFA75852G3 , HUFA76407D3 , HUFA76407D3S , HUFA76407D3ST , HUFA76407P3 , HUFA76409D3 , HUFA76409P3 , HUFA76413D3 , IRF1010E , HUFA76413P3 , HUFA76419D3 , HUFA76419P3 , HUFA76419S3S , HUFA76419S3ST , HUFA76423D3S , HUFA76423D3ST , HUFA76423P3 .
History: DH100P28E | AOK42S60 | SI2316DS | 2SK2896-01S | CJS8804 | IXTM3N80
History: DH100P28E | AOK42S60 | SI2316DS | 2SK2896-01S | CJS8804 | IXTM3N80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414