HUFA76423D3S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUFA76423D3S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUFA76423D3S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76423D3S даташит

 ..1. Size:199K  fairchild semi
 hufa76423d3s hufa76423d3st.pdf pdf_icon

HUFA76423D3S

HUFA76423D3, HUFA76423D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.032 , VGS = 10V DRAIN DRAIN - rDS(ON) = 0.037 , VGS = 5V SOURCE (FLANGE) (FLANGE) DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER

 5.1. Size:240K  fairchild semi
 hufa76423p3 hufa76423s3s hufa76423s3st.pdf pdf_icon

HUFA76423D3S

HUFA76423P3, HUFA76423S3S Data Sheet December 2001 33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.030 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.035 , VGS = 5V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Ele

 6.1. Size:229K  fairchild semi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76423D3S

HUFA76429D3, HUFA76429D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

 6.2. Size:206K  fairchild semi
 hufa76429p3 hufa76429s3s hufa76429s3st.pdf pdf_icon

HUFA76423D3S

HUFA76429P3, HUFA76429S3S Data Sheet December 2001 44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.022 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.025 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA76409P3, HUFA76413D3, HUFA76413D3S, HUFA76413P3, HUFA76419D3, HUFA76419P3, HUFA76419S3S, HUFA76419S3ST, 4435, HUFA76423D3ST, HUFA76423P3, HUFA76423S3S, HUFA76423S3ST, HUFA76429D3S, HUFA76429D3ST, HUFA76429P3, HUFA76429S3S