Справочник MOSFET. HUFA76423S3ST

 

HUFA76423S3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA76423S3ST
   Маркировка: 76423S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76423S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  fairchild semi
 hufa76423p3 hufa76423s3s hufa76423s3st.pdf pdf_icon

HUFA76423S3ST

HUFA76423P3, HUFA76423S3SData Sheet December 200133A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE)- rDS(ON) = 0.030, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.035, VGS = 5VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Ele

 5.1. Size:199K  fairchild semi
 hufa76423d3s hufa76423d3st.pdf pdf_icon

HUFA76423S3ST

HUFA76423D3, HUFA76423D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.032, VGS = 10VDRAIN DRAIN- rDS(ON) = 0.037, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER

 6.1. Size:229K  fairchild semi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76423S3ST

HUFA76429D3, HUFA76429D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

 6.2. Size:206K  fairchild semi
 hufa76429p3 hufa76429s3s hufa76429s3st.pdf pdf_icon

HUFA76423S3ST

HUFA76429P3, HUFA76429S3SData Sheet December 200144A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.022, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.025, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.