WFD4N60B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFD4N60B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для WFD4N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFD4N60B даташит

 ..1. Size:532K  winsemi
 wfd4n60b.pdf pdf_icon

WFD4N60B

WFD4N60B WFD4N60B WFD4N60B WFD4N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4A,600V.R (Max 2.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150 ) General D

 7.1. Size:532K  winsemi
 wfd4n60.pdf pdf_icon

WFD4N60B

WFD4N60 WFD4N60 WFD4N60 WFD4N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4A,600V.R (Max 2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descr

Другие IGBT... HUFA76645S3S, HUFA76645S3ST, VTI634, WFD1N60, WFD20N06, WFD2N60, WFD2N60B, WFD4N60, IRLB3034, WFD5N50, WFD5N60B, WFD5N60C, WFD830, WFD830B, WFF10N60, WFF10N65, WFF12N60