Справочник MOSFET. WFD5N60B

 

WFD5N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFD5N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WFD5N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  winsemi
wfd5n60b.pdfpdf_icon

WFD5N60B

WFD5N60BWFD5N60BWFD5N60BWFD5N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,600V,R (Max2.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

 7.1. Size:485K  winsemi
wfd5n60c.pdfpdf_icon

WFD5N60B

WFD5N60CWFD5N60CWFD5N60CWFD5N60CSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,600V,R (Max2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

 8.1. Size:255K  winsemi
wfd5n65l.pdfpdf_icon

WFD5N60B

WFD5N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD5.0A,650V,R (Max2.7)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 12nC) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produced

 8.2. Size:262K  inchange semiconductor
wfd5n65l.pdfpdf_icon

WFD5N60B

Isc N-Channel MOSFET Transistor WFD5N65LFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SSF2300A | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | APM7318KC | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.