WFD5N60B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFD5N60B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для WFD5N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFD5N60B даташит

 ..1. Size:487K  winsemi
 wfd5n60b.pdf pdf_icon

WFD5N60B

WFD5N60B WFD5N60B WFD5N60B WFD5N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 7.1. Size:485K  winsemi
 wfd5n60c.pdf pdf_icon

WFD5N60B

WFD5N60C WFD5N60C WFD5N60C WFD5N60C Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 8.1. Size:255K  winsemi
 wfd5n65l.pdf pdf_icon

WFD5N60B

WFD5N65L Product Description Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features D 5.0A,650V,R (Max2.7 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 12nC) Fast Switching Capability G 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) S General Description This Power MOSFET is produced

 8.2. Size:262K  inchange semiconductor
 wfd5n65l.pdf pdf_icon

WFD5N60B

Isc N-Channel MOSFET Transistor WFD5N65L FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VTI634, WFD1N60, WFD20N06, WFD2N60, WFD2N60B, WFD4N60, WFD4N60B, WFD5N50, IRFB7545, WFD5N60C, WFD830, WFD830B, WFF10N60, WFF10N65, WFF12N60, WFF12N65, WFF12N70S