WFD830B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFD830B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для WFD830B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFD830B даташит

 ..1. Size:424K  winsemi
 wfd830b.pdf pdf_icon

WFD830B

WFD830B WFD830B WFD830B WFD830B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 5A,500V, R (Max1.6 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 18nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usin

 8.1. Size:583K  winsemi
 wfd830.pdf pdf_icon

WFD830B

WFD830 WFD830 WFD830 WFD830 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,500V,R Max 1.5 )@V =10V DS(on)( GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced using W

Другие IGBT... WFD2N60, WFD2N60B, WFD4N60, WFD4N60B, WFD5N50, WFD5N60B, WFD5N60C, WFD830, EMB04N03H, WFF10N60, WFF10N65, WFF12N60, WFF12N65, WFF12N70S, WFF13N50, WFF15N60, WFF18N50