Справочник MOSFET. WFD830B

 

WFD830B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFD830B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для WFD830B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFD830B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  winsemi
 wfd830b.pdf pdf_icon

WFD830B

WFD830BWFD830BWFD830BWFD830BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 5A,500V, R (Max1.6)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 18nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin

 8.1. Size:583K  winsemi
 wfd830.pdf pdf_icon

WFD830B

WFD830WFD830WFD830WFD830Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,500V,R Max 1.5)@V =10VDS(on)( GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using W

Другие MOSFET... WFD2N60 , WFD2N60B , WFD4N60 , WFD4N60B , WFD5N50 , WFD5N60B , WFD5N60C , WFD830 , 2SK3918 , WFF10N60 , WFF10N65 , WFF12N60 , WFF12N65 , WFF12N70S , WFF13N50 , WFF15N60 , WFF18N50 .

History: BUK457-400A | GP1M003A090XX | DMN53D0LDW | NCE65NF099T

 

 
Back to Top

 


 
.