WFF10N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF10N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF10N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF10N65 даташит

 ..1. Size:801K  winsemi
 wff10n65.pdf pdf_icon

WFF10N65

WFF10N65 WFF10N65 WFF10N65 WFF10N65 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 10A,650V,R (Max 0.95 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Improved dv/dt capability General Description This

 7.1. Size:695K  winsemi
 wff10n60.pdf pdf_icon

WFF10N65

WFF10N60 WFF10N60 WFF10N60 WFF10N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 10A,600V,R (Max 0.75 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 34nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Improved dv/dt capability General Description This

Другие IGBT... WFD4N60, WFD4N60B, WFD5N50, WFD5N60B, WFD5N60C, WFD830, WFD830B, WFF10N60, MMIS60R580P, WFF12N60, WFF12N65, WFF12N70S, WFF13N50, WFF15N60, WFF18N50, WFF20N60, WFF20N60S