WFF13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF13N50 даташит

 ..1. Size:514K  winsemi
 wff13n50.pdf pdf_icon

WFF13N50

WFF13N50 WFF13N50 WFF13N50 WFF13N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 13A,500V, R (Max0.46 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produce

Другие IGBT... WFD5N60C, WFD830, WFD830B, WFF10N60, WFF10N65, WFF12N60, WFF12N65, WFF12N70S, IRFP064N, WFF15N60, WFF18N50, WFF20N60, WFF20N60S, WFF2N60, WFF2N60B, PJA138K, PJA3400