Справочник MOSFET. WFF13N50

 

WFF13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  winsemi
 wff13n50.pdf pdf_icon

WFF13N50

WFF13N50WFF13N50WFF13N50WFF13N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 13A,500V, R (Max0.46)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce

Другие MOSFET... WFD5N60C , WFD830 , WFD830B , WFF10N60 , WFF10N65 , WFF12N60 , WFF12N65 , WFF12N70S , 5N50 , WFF15N60 , WFF18N50 , WFF20N60 , WFF20N60S , WFF2N60 , WFF2N60B , PJA138K , PJA3400 .

History: AP9990GIF-HF | HGP115N15S | SVS7N65MJD2 | AP20N15AGH | FQI8P10TU | INK0102AC1 | MTP1013C3

 

 
Back to Top

 


 
.