Справочник MOSFET. WFF20N60

 

WFF20N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFF20N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для WFF20N60

 

 

WFF20N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  winsemi
 wff20n60.pdf

WFF20N60 WFF20N60

WFF20N60WFF20N60WFF20N60WFF20N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 20A,600V,R (Max0.39)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

 0.1. Size:535K  winsemi
 wff20n60s.pdf

WFF20N60 WFF20N60

WFF20N60SWFF20N60SWFF20N60SWFF20N60SSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures Ultra low Rdson Ultra-low Gate charge(Typical 68nC) 100% UIS Tested RoHS compliantGeneral DescriptionWinsemi Power MOSFET is fabricated using advanced superjunction technology.The resulting device has extremely low

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top