WFF20N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF20N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF20N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF20N60 даташит

 ..1. Size:271K  winsemi
 wff20n60.pdf pdf_icon

WFF20N60

WFF20N60 WFF20N60 WFF20N60 WFF20N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,600V,R (Max0.39 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 0.1. Size:535K  winsemi
 wff20n60s.pdf pdf_icon

WFF20N60

WFF20N60S WFF20N60S WFF20N60S WFF20N60S Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Ultra low Rdson Ultra-low Gate charge(Typical 68nC) 100% UIS Tested RoHS compliant General Description Winsemi Power MOSFET is fabricated using advanced super junction technology.The resulting device has extremely low

Другие IGBT... WFF10N60, WFF10N65, WFF12N60, WFF12N65, WFF12N70S, WFF13N50, WFF15N60, WFF18N50, IRFZ44N, WFF20N60S, WFF2N60, WFF2N60B, PJA138K, PJA3400, PJA3401, PJA3402, PJA3404