Справочник MOSFET. WFF20N60

 

WFF20N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF20N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF20N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF20N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  winsemi
 wff20n60.pdf pdf_icon

WFF20N60

WFF20N60WFF20N60WFF20N60WFF20N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 20A,600V,R (Max0.39)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

 0.1. Size:535K  winsemi
 wff20n60s.pdf pdf_icon

WFF20N60

WFF20N60SWFF20N60SWFF20N60SWFF20N60SSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures Ultra low Rdson Ultra-low Gate charge(Typical 68nC) 100% UIS Tested RoHS compliantGeneral DescriptionWinsemi Power MOSFET is fabricated using advanced superjunction technology.The resulting device has extremely low

Другие MOSFET... WFF10N60 , WFF10N65 , WFF12N60 , WFF12N65 , WFF12N70S , WFF13N50 , WFF15N60 , WFF18N50 , IRFZ44N , WFF20N60S , WFF2N60 , WFF2N60B , PJA138K , PJA3400 , PJA3401 , PJA3402 , PJA3404 .

History: IXFT16N80P | NCV8402D

 

 
Back to Top

 


 
.