Справочник MOSFET. PJA3432

 

PJA3432 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJA3432
   Маркировка: A32
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3432 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  panjit
pja3432.pdfpdf_icon

PJA3432

PPJA3432 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm) 30 V 1.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@1.6A

 8.1. Size:272K  panjit
pja3430.pdfpdf_icon

PJA3432

PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A

 8.2. Size:200K  panjit
pja3434.pdfpdf_icon

PJA3432

PPJA3434 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 750mAVoltage Current Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halo

 8.3. Size:227K  panjit
pja3431.pdfpdf_icon

PJA3432

PPJA3431 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.