Справочник MOSFET. PJA3432

 

PJA3432 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJA3432
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PJA3432

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3432 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  panjit
 pja3432.pdf pdf_icon

PJA3432

PPJA3432 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm) 30 V 1.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@1.6A

 8.1. Size:272K  panjit
 pja3430.pdf pdf_icon

PJA3432

PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A

 8.2. Size:200K  panjit
 pja3434.pdf pdf_icon

PJA3432

PPJA3434 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 750mAVoltage Current Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halo

 8.3. Size:227K  panjit
 pja3431.pdf pdf_icon

PJA3432

PPJA3431 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PJA3411 , PJA3412 , PJA3413 , PJA3414 , PJA3415 , PJA3416 , PJA3430 , PJA3431 , IRFP250N , PJA3433 , PJA3434 , PJA45N02 , PJA55P03 , PJA63P02 , PJA65P03 , PJA87P03 , PJA94N03 .

History: PSMN5R0-100PS | CMRDM3590

 

 
Back to Top

 


 
.