Справочник MOSFET. PJE8402

 

PJE8402 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJE8402
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для PJE8402

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJE8402 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  panjit
 pje8402.pdf pdf_icon

PJE8402

PPJE8402 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.1. Size:206K  panjit
 pje8404.pdf pdf_icon

PJE8402

PPJE8404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

 8.2. Size:262K  panjit
 pje8406.pdf pdf_icon

PJE8402

PPJE8406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 800mAVoltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2(typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f

 8.3. Size:242K  panjit
 pje8400.pdf pdf_icon

PJE8402

PPJE8400 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 1.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.1A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PJC7401 , PJC7403 , PJC7404 , PJC7406 , PJC7407 , PJE138K , PJE8400 , PJE8401 , AON7410 , PJE8403 , PJE8404 , PJE8405 , PJE8406 , PJL9801 , PJQ2888 , PJS50N03 , PJS6400 .

History: 2SK2897-01MR | SHD219601 | AONR66821

 

 
Back to Top

 


 
.