Справочник MOSFET. PJE8403

 

PJE8403 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJE8403
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для PJE8403

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJE8403 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  panjit
 pje8403.pdf pdf_icon

PJE8403

PPJE8403 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.6A

 8.1. Size:206K  panjit
 pje8404.pdf pdf_icon

PJE8403

PPJE8404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

 8.2. Size:242K  panjit
 pje8402.pdf pdf_icon

PJE8403

PPJE8402 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.3. Size:262K  panjit
 pje8406.pdf pdf_icon

PJE8403

PPJE8406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit : inch(mm)20 V 800mAVoltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2(typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PJC7403 , PJC7404 , PJC7406 , PJC7407 , PJE138K , PJE8400 , PJE8401 , PJE8402 , IRF9540N , PJE8404 , PJE8405 , PJE8406 , PJL9801 , PJQ2888 , PJS50N03 , PJS6400 , PJS6401 .

History: IRF2804PBF | PP4B10BF | SI1025X

 

 
Back to Top

 


 
.