PJS6806. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJS6806

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6L

Аналог (замена) для PJS6806

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJS6806 даташит

 ..1. Size:304K  panjit
 pjs6806.pdf pdf_icon

PJS6806

PPJS6806 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) 30 V 4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@4.0A

 8.1. Size:300K  panjit
 pjs6801.pdf pdf_icon

PJS6806

PPJS6801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -3.2A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-3.2A

 8.2. Size:159K  panjit
 pjs6809.pdf pdf_icon

PJS6806

PPJS6809 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -2.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-2.6A

 8.3. Size:269K  panjit
 pjs6800.pdf pdf_icon

PJS6806

PPJS6800 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm Voltage 30 V Current 3.9A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@3.9A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJS6413, PJS6414, PJS6415, PJS6416, PJS6417, PJS6600, PJS6800, PJS6801, IRF1407, PJS6809, PJS6811, PJS6812, PJS6815, PJS6816, PJS6832, PJS6833, PJT138K