Справочник MOSFET. PJT7800

 

PJT7800 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJT7800
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для PJT7800

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJT7800 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  panjit
 pjt7800.pdf pdf_icon

PJT7800

PPJT7800 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)20 V 1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A

 8.1. Size:242K  panjit
 pjt7801.pdf pdf_icon

PJT7800

PPJT7801 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -0.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.7A

 8.2. Size:192K  panjit
 pjt7802.pdf pdf_icon

PJT7800

PPJT7802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)20 V 0.5A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@0.5A

Другие MOSFET... PJS6812 , PJS6815 , PJS6816 , PJS6832 , PJS6833 , PJT138K , PJT7408 , PJT7600 , IRF2807 , PJT7801 , PJT7802 , PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A , PJW1NA80 , PJX138K , PJX8802 .

History: IXTP4N100 | STW27NM60ND | PSMN1R1-30PL | NCE70N900K | GSM7402

 

 
Back to Top

 


 
.