PJX8806. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJX8806

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-563

Аналог (замена) для PJX8806

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJX8806 даташит

 ..1. Size:264K  panjit
 pjx8806.pdf pdf_icon

PJX8806

PPJX8806 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit inch(mm) 20 V 800mA Voltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2 (typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f

 8.1. Size:267K  panjit
 pjx8802.pdf pdf_icon

PJX8806

PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit inch(mm) 20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.2. Size:259K  panjit
 pjx8805.pdf pdf_icon

PJX8806

 8.3. Size:263K  panjit
 pjx8803.pdf pdf_icon

PJX8806

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJW1NA60, PJW1NA60A, PJW1NA80, PJX138K, PJX8802, PJX8803, PJX8804, PJX8805, IRFZ46N, PJZ6NA90, PJZ9NA90, PMBFJ174, PMBFJ175, PMBFJ176, PMBFJ177, PMBFJ620, PMC85XP