Справочник MOSFET. IXTZ42N20MB

 

IXTZ42N20MB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTZ42N20MB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: ZPAK
 

 Аналог (замена) для IXTZ42N20MB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTZ42N20MB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  1
 ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf pdf_icon

IXTZ42N20MB

Другие MOSFET... IXTZ20N60MB , IXTZ24N50MA , IXTZ24N50MB , IXTZ27N40MA , IXTZ27N40MB , IXTZ35N25MA , IXTZ35N25MB , IXTZ42N20MA , IRFZ44 , IXTZ67N10MA , IXTZ67N10MB , J108 , J109 , J110 , J111 , J112 , J113 .

History: WSP9936

 

 
Back to Top

 


 
.