IXTZ42N20MB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTZ42N20MB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: ZPAK
Другие MOSFET... IXTZ20N60MB , IXTZ24N50MA , IXTZ24N50MB , IXTZ27N40MA , IXTZ27N40MB , IXTZ35N25MA , IXTZ35N25MB , IXTZ42N20MA , IRFP460 , IXTZ67N10MA , IXTZ67N10MB , J108 , J109 , J110 , J111 , J112 , J113 .