Справочник MOSFET. PMCM4401VNE

 

PMCM4401VNE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMCM4401VNE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP4
 

 Аналог (замена) для PMCM4401VNE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMCM4401VNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  nxp
pmcm4401vne.pdfpdf_icon

PMCM4401VNE

PMCM4401VNE12V, N-channel Trench MOSFET24 July 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer LevelChip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.78 0.78 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 5.1. Size:317K  nxp
pmcm4401vpe.pdfpdf_icon

PMCM4401VNE

PMCM4401VPE12 V, P-channel Trench MOSFET29 July 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer LevelChip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.78 0.78 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Dis

 6.1. Size:263K  nxp
pmcm4401une.pdfpdf_icon

PMCM4401VNE

PMCM4401UNE20 V, N-channel Trench MOSFET29 May 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.78 x 0.78 x 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

 6.2. Size:715K  nxp
pmcm4401upe.pdfpdf_icon

PMCM4401VNE

PMCM4401UPE20 V, P-channel Trench MOSFET7 October 2016 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.78 0.78 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic D

Другие MOSFET... PJZ6NA90 , PJZ9NA90 , PMBFJ174 , PMBFJ175 , PMBFJ176 , PMBFJ177 , PMBFJ620 , PMC85XP , 2N7002 , PMCM4401VPE , PMCM440VNE , PMCM6501VPE , PMCM650VNE , WFF2N65 , WFF2N65B , WFF4N60 , WFF5N60 .

History: IRF5M3415 | AP2615GEY | IRFS9143 | TW1527SI | SE30200 | STP10NK80ZFP | JCS740RC

 

 
Back to Top

 


 
.