PMCM4401VNE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMCM4401VNE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: WLCSP4

Аналог (замена) для PMCM4401VNE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMCM4401VNE даташит

 ..1. Size:318K  nxp
 pmcm4401vne.pdf pdf_icon

PMCM4401VNE

PMCM4401VNE 12V, N-channel Trench MOSFET 24 July 2015 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 0.78 0.78 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 5.1. Size:317K  nxp
 pmcm4401vpe.pdf pdf_icon

PMCM4401VNE

PMCM4401VPE 12 V, P-channel Trench MOSFET 29 July 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 0.78 0.78 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Dis

 6.1. Size:263K  nxp
 pmcm4401une.pdf pdf_icon

PMCM4401VNE

PMCM4401UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 29 May 2017 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 0.78 x 0.78 x 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

 6.2. Size:715K  nxp
 pmcm4401upe.pdf pdf_icon

PMCM4401VNE

PMCM4401UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 7 October 2016 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 0.78 0.78 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJZ6NA90, PJZ9NA90, PMBFJ174, PMBFJ175, PMBFJ176, PMBFJ177, PMBFJ620, PMC85XP, MMIS60R580P, PMCM4401VPE, PMCM440VNE, PMCM6501VPE, PMCM650VNE, WFF2N65, WFF2N65B, WFF4N60, WFF5N60