Справочник MOSFET. PMCM6501VPE

 

PMCM6501VPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMCM6501VPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.556 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMCM6501VPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  nxp
 pmcm6501vpe.pdf pdf_icon

PMCM6501VPE

PMCM6501VPE12 V, P-channel Trench MOSFET10 August 2015 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer LevelChip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic D

 5.1. Size:771K  nxp
 pmcm6501vne.pdf pdf_icon

PMCM6501VPE

PMCM6501VNE12 V, N-channel Trench MOSFET26 August 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer LevelChip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic D

 6.1. Size:384K  nxp
 pmcm6501une.pdf pdf_icon

PMCM6501VPE

PMCM6501UNE20 V, N-channel Trench MOSFET30 May 2017 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 6.2. Size:378K  nxp
 pmcm6501upe.pdf pdf_icon

PMCM6501VPE

PMCM6501UPE20 V, P-channel Trench MOSFET3 July 2017 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-SizePackage (WLCSP) using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package: 0.98 x 1.48 x 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.