WFF2N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF2N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF2N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF2N65 даташит

 ..1. Size:785K  winsemi
 wff2n65.pdf pdf_icon

WFF2N65

WFF2N65 WFF2N65 WFF2N65 WFF2N65 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 2A,650V(Type),R (Max 5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) Halog

 0.1. Size:214K  winsemi
 wff2n65l.pdf pdf_icon

WFF2N65

WFF2N65L Product Description Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features D 2.0A,650V,R (Max5.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 8.6nC) Fast Switching Capability G 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) S General Description This Power MOSFET is produced

 0.2. Size:537K  winsemi
 wff2n65b.pdf pdf_icon

WFF2N65

WFF2N65B WFF2N65B WFF2N65B WFF2N65B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 2A,650V(Type),R (Max 5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) Gener

 8.1. Size:613K  winsemi
 wff2n60b.pdf pdf_icon

WFF2N65

WFF2N60B WFF2N60B WFF2N60B WFF2N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 2A,600V,R (Max 5.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced u

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMBFJ177, PMBFJ620, PMC85XP, PMCM4401VNE, PMCM4401VPE, PMCM440VNE, PMCM6501VPE, PMCM650VNE, AO4468, WFF2N65B, WFF4N60, WFF5N60, WFF5N60B, WFF5N60C, WFF5N65B, WFF5N80, WFF630