Справочник MOSFET. WFF2N65

 

WFF2N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFF2N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 35 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для WFF2N65

 

 

WFF2N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  winsemi
 wff2n65.pdf

WFF2N65 WFF2N65

WFF2N65WFF2N65WFF2N65WFF2N65Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,650V(Type),R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150) Halog

 0.1. Size:214K  winsemi
 wff2n65l.pdf

WFF2N65 WFF2N65

WFF2N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD2.0A,650V,R (Max5.0)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 8.6nC) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produced

 0.2. Size:537K  winsemi
 wff2n65b.pdf

WFF2N65 WFF2N65

WFF2N65BWFF2N65BWFF2N65BWFF2N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,650V(Type),R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)Gener

 8.1. Size:613K  winsemi
 wff2n60b.pdf

WFF2N65 WFF2N65

WFF2N60BWFF2N60BWFF2N60BWFF2N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,600V,R (Max 5.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced u

 8.2. Size:386K  winsemi
 wff2n60.pdf

WFF2N65 WFF2N65

WFF2N60WFF2N60WFF2N60WFF2N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures2A,600V, R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( V = 4000V AC )ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Desc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top