WFF5N60B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF5N60B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF5N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF5N60B даташит

 ..1. Size:522K  winsemi
 wff5n60b.pdf pdf_icon

WFF5N60B

WFF5N60B WFF5N60B WFF5N60B WFF5N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 7.1. Size:521K  winsemi
 wff5n60c.pdf pdf_icon

WFF5N60B

WFF5N60C WFF5N60C WFF5N60C WFF5N60C Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 7.2. Size:519K  winsemi
 wff5n60.pdf pdf_icon

WFF5N60B

WFF5N60 WFF5N60 WFF5N60 WFF5N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 4.5A,600V,RDS(on)(Max 2.2 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General

 8.1. Size:215K  winsemi
 wff5n65l.pdf pdf_icon

WFF5N60B

WFF5N65L Product Description Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features D 5A,650V,R (Max2.7 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 12nC) Fast Switching Capability G 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) S General Description This Power MOSFET is produced us

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMCM4401VPE, PMCM440VNE, PMCM6501VPE, PMCM650VNE, WFF2N65, WFF2N65B, WFF4N60, WFF5N60, IRF740, WFF5N60C, WFF5N65B, WFF5N80, WFF630, WFF634, WFF640, WFF730, WFF740