Справочник MOSFET. WFF630

 

WFF630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  winsemi
 wff630.pdf pdf_icon

WFF630

WFF630WFF630WFF630WFF630Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 9A, 200V, R (Max 0.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 22nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral

 9.1. Size:676K  winsemi
 wff634.pdf pdf_icon

WFF630

WFF634WFF634WFF634WFF634Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 9A, 250V, R (Max 0.45)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 41nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGenera

Другие MOSFET... WFF2N65 , WFF2N65B , WFF4N60 , WFF5N60 , WFF5N60B , WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 , IRF540N , WFF634 , WFF640 , WFF730 , WFF740 , WFF7N60 , WFF7N65S , WFF830 , WFF840 .

History: HYG025N06LS1C2 | APT904RAN | AP9620AGM

 

 
Back to Top

 


 
.