WFF630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF630 даташит

 ..1. Size:681K  winsemi
 wff630.pdf pdf_icon

WFF630

WFF630 WFF630 WFF630 WFF630 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 9A, 200V, R (Max 0.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 22nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General

 9.1. Size:676K  winsemi
 wff634.pdf pdf_icon

WFF630

WFF634 WFF634 WFF634 WFF634 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 9A, 250V, R (Max 0.45 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 41nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description Genera

Другие IGBT... WFF2N65, WFF2N65B, WFF4N60, WFF5N60, WFF5N60B, WFF5N60C, WFF5N65B, WFF5N80, IRF540, WFF634, WFF640, WFF730, WFF740, WFF7N60, WFF7N65S, WFF830, WFF840