Справочник MOSFET. WFF640

 

WFF640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  winsemi
 wff640.pdf pdf_icon

WFF640

WFF640WFF640WFF640WFF640Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,200V.RDS(on)(Max 0.1 8)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150)General Description

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NDS7002A | STM8300 | SI1402DH | TPC8109 | APT10050LVFR | IRFP150FI | RQ3E130MN

 

 
Back to Top

 


 
.