WFF640 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WFF640
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для WFF640
WFF640 Datasheet (PDF)
wff640.pdf

WFF640WFF640WFF640WFF640Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,200V.RDS(on)(Max 0.1 8)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150)General Description
Другие MOSFET... WFF4N60 , WFF5N60 , WFF5N60B , WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 , WFF630 , WFF634 , IRF640 , WFF730 , WFF740 , WFF7N60 , WFF7N65S , WFF830 , WFF840 , WFF840B , WFF8N60 .
History: TPCA8064-H | HGP070N12S | 2SK3288ENTL | HGB082N10M | AO4726 | SM3024NSF | SM2300NSAN
History: TPCA8064-H | HGP070N12S | 2SK3288ENTL | HGB082N10M | AO4726 | SM3024NSF | SM2300NSAN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet