Справочник MOSFET. WFF640

 

WFF640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  winsemi
 wff640.pdf pdf_icon

WFF640

WFF640WFF640WFF640WFF640Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 18A,200V.RDS(on)(Max 0.1 8)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150)General Description

Другие MOSFET... WFF4N60 , WFF5N60 , WFF5N60B , WFF5N60C , WFF5N65B , WFF5N80 , WFF630 , WFF634 , IRF640 , WFF730 , WFF740 , WFF7N60 , WFF7N65S , WFF830 , WFF840 , WFF840B , WFF8N60 .

History: RFD7N10LE | 2SK2194 | FK3906010L | IRFS233 | AON6926 | KMB012N40DA

 

 
Back to Top

 


 
.