WFF640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF640 даташит

 ..1. Size:452K  winsemi
 wff640.pdf pdf_icon

WFF640

WFF640 WFF640 WFF640 WFF640 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 18A,200V.RDS(on)(Max 0.1 8 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description

Другие IGBT... WFF4N60, WFF5N60, WFF5N60B, WFF5N60C, WFF5N65B, WFF5N80, WFF630, WFF634, IRFP460, WFF730, WFF740, WFF7N60, WFF7N65S, WFF830, WFF840, WFF840B, WFF8N60