IXTZ67N10MB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IXTZ67N10MB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 67 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
   Тип корпуса: ZPAK

Другие MOSFET... IXTZ24N50MB , IXTZ27N40MA , IXTZ27N40MB , IXTZ35N25MA , IXTZ35N25MB , IXTZ42N20MA , IXTZ42N20MB , IXTZ67N10MA , IRFZ44 , J108 , J109 , J110 , J111 , J112 , J113 , J211 , J212 .