IXTZ67N10MB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTZ67N10MB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: ZPAK

Аналог (замена) для IXTZ67N10MB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTZ67N10MB даташит

 ..1. Size:681K  1
 ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf pdf_icon

IXTZ67N10MB

Другие IGBT... IXTZ24N50MB, IXTZ27N40MA, IXTZ27N40MB, IXTZ35N25MA, IXTZ35N25MB, IXTZ42N20MA, IXTZ42N20MB, IXTZ67N10MA, IRF1404, J108, J109, J110, J111, J112, J113, J211, J212