Справочник MOSFET. WFF840

 

WFF840 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF840

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  winsemi
 wff840.pdf pdf_icon

WFF840

WFF840WFF840WFF840WFF840Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 8A,500V,RDS(on)(Max 0.8)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 48nC)Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(15

 0.1. Size:403K  winsemi
 wff840b.pdf pdf_icon

WFF840

WFF840BWFF840BWFF840BWFF840BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,500V, R (Max0.75)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

Другие MOSFET... WFF630 , WFF634 , WFF640 , WFF730 , WFF740 , WFF7N60 , WFF7N65S , WFF830 , IRF630 , WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 , WFF9N90 , WFJ5N65B , WFJ8N65B .

History: AP2N7002K-HF | SPA15N60CFD | 6N70KG-TMS2-T | STD9N40M2 | WFW18N50N | PHB96NQ03LT | AOB256L

 

 
Back to Top

 


 
.