WFF840. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF840

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF840

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF840 даташит

 ..1. Size:460K  winsemi
 wff840.pdf pdf_icon

WFF840

WFF840 WFF840 WFF840 WFF840 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 8A,500V,RDS(on)(Max 0.8 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 48nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(15

 0.1. Size:403K  winsemi
 wff840b.pdf pdf_icon

WFF840

WFF840B WFF840B WFF840B WFF840B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,500V, R (Max0.75 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

Другие IGBT... WFF630, WFF634, WFF640, WFF730, WFF740, WFF7N60, WFF7N65S, WFF830, IRF640N, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, WFF9N50, WFF9N90, WFJ5N65B, WFJ8N65B