WFF8N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

WFF8N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WFF8N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF8N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF8N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  winsemi
 wff8n60.pdf pdf_icon

WFF8N60

WFF8N60WFF8N60WFF8N60WFF8N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Desc

 0.1. Size:709K  winsemi
 wff8n60b.pdf pdf_icon

WFF8N60

WFF8N60BWFF8N60BWFF8N60BWFF8N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General

 8.1. Size:215K  winsemi
 wff8n65l.pdf pdf_icon

WFF8N60

WFF8N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD8.0A,650V,R (Max1.4)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 14.5nC) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produce

 8.2. Size:695K  winsemi
 wff8n65b.pdf pdf_icon

WFF8N60

WFF8N65BWFF8N65BWFF8N65BWFF8N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,650V,R (Max1.3)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 25nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WFF640 , WFF730 , WFF740 , WFF7N60 , WFF7N65S , WFF830 , WFF840 , WFF840B , IRFB4227 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 , WFF9N90 , WFJ5N65B , WFJ8N65B , WFN1N60 , WFN1N60N .

History: WFW18N50W

 

 
Back to Top

 


 
.