Справочник MOSFET. WFN1N60

 

WFN1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFN1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для WFN1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFN1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  winsemi
 wfn1n60.pdf pdf_icon

WFN1N60

WFN1N60WFN1N60WFN1N60WFN1N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 1.3A,600V, R (Max8.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionTh is Power MO SFET is produced

 0.1. Size:668K  winsemi
 wfn1n60n.pdf pdf_icon

WFN1N60

WFN1N60NWFN1N60NWFN1N60NWFN1N60NSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures0.5A,600V,RDS(on)(Max15.0)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin

Другие MOSFET... WFF840B , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 , WFF9N90 , WFJ5N65B , WFJ8N65B , IRFB4115 , WFN1N60N , WFP10N60 , WFP10N65 , WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S , WFP13N50 , WFP18N20 .

History: ME7686 | 2SK681A | NCE01P30K | SDF034JAA-U | RQK0302GGDQS | AON6586 | DMNH10H028SPSQ-13

 

 
Back to Top

 


 
.