Справочник MOSFET. WFN1N60

 

WFN1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFN1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WFN1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  winsemi
 wfn1n60.pdf pdf_icon

WFN1N60

WFN1N60WFN1N60WFN1N60WFN1N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 1.3A,600V, R (Max8.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionTh is Power MO SFET is produced

 0.1. Size:668K  winsemi
 wfn1n60n.pdf pdf_icon

WFN1N60

WFN1N60NWFN1N60NWFN1N60NWFN1N60NSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures0.5A,600V,RDS(on)(Max15.0)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.