Справочник MOSFET. WFP5N60

 

WFP5N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP5N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP5N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP5N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  winsemi
 wfp5n60.pdf pdf_icon

WFP5N60

WFP5N60WFP5N60WFP5N60WFP5N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,600V,R (Max2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

 0.1. Size:527K  winsemi
 wfp5n60b.pdf pdf_icon

WFP5N60

WFP5N60BWFP5N60BWFP5N60BWFP5N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,600V,R (Max2.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

 9.1. Size:519K  winsemi
 wfp5n80.pdf pdf_icon

WFP5N60

WFP5N80WFP5N80WFP5N80WFP5N80Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4.5A,800V,R (Max2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 14nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

 9.2. Size:762K  winsemi
 wfp5n50.pdf pdf_icon

WFP5N60

WFP5N50WFP5N50WFP5N50WFP5N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 5A,500V,RDS(on)(Max1.6)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MO SFET is pro du ced using Wi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WFP2N60 , WFP2N60B , WFP3205 , WFP3205T , WFP4N60 , WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 , IRF9540N , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T .

History: IPA100N08N3G | IPB80N04S4-04 | STP10NM60ND | DMP2007UFG | 30N20 | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.