WFP5N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP5N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP5N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP5N60 даташит

 ..1. Size:485K  winsemi
wfp5n60.pdfpdf_icon

WFP5N60

WFP5N60 WFP5N60 WFP5N60 WFP5N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

 0.1. Size:527K  winsemi
wfp5n60b.pdfpdf_icon

WFP5N60

WFP5N60B WFP5N60B WFP5N60B WFP5N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

 9.1. Size:519K  winsemi
wfp5n80.pdfpdf_icon

WFP5N60

WFP5N80 WFP5N80 WFP5N80 WFP5N80 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,800V,R (Max2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 14nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

 9.2. Size:762K  winsemi
wfp5n50.pdfpdf_icon

WFP5N60

WFP5N50 WFP5N50 WFP5N50 WFP5N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 5A,500V,RDS(on)(Max1.6 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MO SFET is pro du ced using Wi

Другие IGBT... WFP2N60, WFP2N60B, WFP3205, WFP3205T, WFP4N60, WFP50N06, WFP50N06C, WFP5N50, SKD502T, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634, WFP640, WFP650, WFP70N06, WFP70N06T