Справочник MOSFET. WFP630

 

WFP630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  winsemi
 wfp630.pdf pdf_icon

WFP630

WFP630WFP630WFP630WFP630Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 9A, 200V, R (Max 0.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 22nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral

 9.1. Size:758K  winsemi
 wfp634.pdf pdf_icon

WFP630

WFP634WFP634WFP634WFP634Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A, 250V, R (Max 0.45)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 41nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionT h i s P o w e r M O S F E T is p r

Другие MOSFET... WFP3205T , WFP4N60 , WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , RFP50N06 , WFP634 , WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , WFP7N60 .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | CHM5813ESQ2GP

 

 
Back to Top

 


 
.