WFP630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP630 даташит

 ..1. Size:530K  winsemi
 wfp630.pdf pdf_icon

WFP630

WFP630 WFP630 WFP630 WFP630 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 9A, 200V, R (Max 0.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 22nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General

 9.1. Size:758K  winsemi
 wfp634.pdf pdf_icon

WFP630

WFP634 WFP634 WFP634 WFP634 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A, 250V, R (Max 0.45 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 41nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description T h i s P o w e r M O S F E T is p r

Другие IGBT... WFP3205T, WFP4N60, WFP50N06, WFP50N06C, WFP5N50, WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, AON7410, WFP634, WFP640, WFP650, WFP70N06, WFP70N06T, WFP730, WFP740, WFP7N60