Справочник MOSFET. WFP70N06

 

WFP70N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP70N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP70N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  winsemi
 wfp70n06.pdf pdf_icon

WFP70N06

WFP70N06WFP70N06WFP70N06WFP70N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 70A,60V, RDS(on)(Max0.014)@VGS=10V Ultra-low Gate charge(Typical 70nC) Low Crss (Typical 160pF) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThi

 0.1. Size:603K  winsemi
 wfp70n06t.pdf pdf_icon

WFP70N06

WFP70N06TWFP70N06TWFP70N06TWFP70N06TSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 68A,60V, R (Max18m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 20nC) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produ

Другие MOSFET... WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , WFP640 , WFP650 , AON7506 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B .

History: UTT18P10 | AFN8988

 

 
Back to Top

 


 
.