Справочник MOSFET. WFP830B

 

WFP830B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP830B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP830B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP830B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  winsemi
 wfp830b.pdf pdf_icon

WFP830B

WFP830BWFP830BWFP830BWFP830BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 5A,500V, R (Max1.6)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 18nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin

 8.1. Size:495K  winsemi
 wfp830.pdf pdf_icon

WFP830B

WFP830WFP830WFP830WFP830Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 4.5A,500V,RDS(on)(Max 1.5)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral Desc

Другие MOSFET... WFP640 , WFP650 , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , 20N50 , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , WFU1N60 , WFU1N60N , WFU20N06 .

History: CEU3100 | JCS86N25ABT | RJK2006DPF | ELM14606AA | KQS4900

 

 
Back to Top

 


 
.