WFP830B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP830B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP830B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP830B даташит

 ..1. Size:472K  winsemi
 wfp830b.pdf pdf_icon

WFP830B

WFP830B WFP830B WFP830B WFP830B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 5A,500V, R (Max1.6 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 18nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usin

 8.1. Size:495K  winsemi
 wfp830.pdf pdf_icon

WFP830B

WFP830 WFP830 WFP830 WFP830 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 4.5A,500V,RDS(on)(Max 1.5 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General Desc

Другие IGBT... WFP640, WFP650, WFP70N06, WFP70N06T, WFP730, WFP740, WFP7N60, WFP830, STP80NF70, WFP840, WFP840B, WFP8N60, WFP8N60B, WFP9N20, WFU1N60, WFU1N60N, WFU20N06