Справочник MOSFET. WFP840B

 

WFP840B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP840B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP840B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP840B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  winsemi
 wfp840b.pdf pdf_icon

WFP840B

WFP840BWFP840BWFP840BWFP840BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,500V, R (Max0.75)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

 8.1. Size:689K  winsemi
 wfp840.pdf pdf_icon

WFP840B

WFP840WFP840WFP840WFP840Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 8A,500V,RDS(on)(Max 0.8)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 59nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral Descri

Другие MOSFET... WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , IRFZ24N , WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , WFU1N60 , WFU1N60N , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B .

History: CEM7350 | APT50M85B2VFRG | VBZL45N03 | VS3618AH | SVF14N65CFJ | SUD19P06-60 | IRF7862PBF

 

 
Back to Top

 


 
.