Справочник MOSFET. WFU1N60

 

WFU1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFU1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для WFU1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFU1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  winsemi
 wfu1n60.pdf pdf_icon

WFU1N60

WFU1N60WFU1N60WFU1N60WFU1N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 1.3A,600V,R (Max 8.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced u

 0.1. Size:582K  winsemi
 wfu1n60n.pdf pdf_icon

WFU1N60

WFU1N60NSilicon N-Channel MOSFET Features 1A,600V, RDS(on)(Max 15.0)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150) General Description Th is Pow er MO S FET is pro du c ed usi ng Win se m i s ad va n ced planar stripe, VDMOS technology. This latest technology has

Другие MOSFET... WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , STF13NM60N , WFU1N60N , WFU20N06 , WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B .

History: C3M0120090J | IXFV18N90PS | 2SJ50 | 2SK4067I | SM6A09NSW | SIHFB13N50A | ZXMP6A17GTA

 

 
Back to Top

 


 
.