Справочник MOSFET. WFU1N60

 

WFU1N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WFU1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для WFU1N60

 

 

WFU1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  winsemi
 wfu1n60.pdf

WFU1N60 WFU1N60

WFU1N60WFU1N60WFU1N60WFU1N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 1.3A,600V,R (Max 8.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced u

 0.1. Size:582K  winsemi
 wfu1n60n.pdf

WFU1N60 WFU1N60

WFU1N60NSilicon N-Channel MOSFET Features 1A,600V, RDS(on)(Max 15.0)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150) General Description Th is Pow er MO S FET is pro du c ed usi ng Win se m i s ad va n ced planar stripe, VDMOS technology. This latest technology has

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top