WFU20N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFU20N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для WFU20N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFU20N06 даташит

 ..1. Size:270K  winsemi
 wfu20n06.pdf pdf_icon

WFU20N06

WFU20N06 Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,60V, RDS(on)(Max 39m )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) High Current Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MO S FET is produced using Win se m i s advanced planar stripe, This latest technology has been especially designed to

Другие IGBT... WFP830B, WFP840, WFP840B, WFP8N60, WFP8N60B, WFP9N20, WFU1N60, WFU1N60N, 2SK3568, WFU2N60, WFU2N60B, WFU4N60, WFU5N50, WFU5N60, WFU5N60B, WFU730, WFU830