Справочник MOSFET. WFU20N06

 

WFU20N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFU20N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для WFU20N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFU20N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  winsemi
 wfu20n06.pdf pdf_icon

WFU20N06

WFU20N06 Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,60V, RDS(on)(Max 39m)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) High Current Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Power MO S FET is produced using Win se m i s advanced planar stripe, This latest technology has been especially designed to

Другие MOSFET... WFP830B , WFP840 , WFP840B , WFP8N60 , WFP8N60B , WFP9N20 , WFU1N60 , WFU1N60N , 5N65 , WFU2N60 , WFU2N60B , WFU4N60 , WFU5N50 , WFU5N60 , WFU5N60B , WFU730 , WFU830 .

History: RJK2511DPK | SVSP14N60FJDD2 | ZXMP6A17E6TA | AP18T10AGH-HF | BSS138BK | IXTP4N90A | HM3400C

 

 
Back to Top

 


 
.